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針對目前UVLED技術(shù)全球整體發(fā)展情況，小編就我國LED發(fā)展與目前國外的紫外線LED(UVLED）的發(fā)展?fàn)顩r做一個簡單的對比分析，共大家分享：

近來，我國紫外線LED(UVLED)技術(shù)應(yīng)用發(fā)展相對迅速，目前深紫外線LED(UVLED)在主要應(yīng)用在生物醫(yī)療、防偽鑒定、凈化(水、空氣等)領(lǐng)域、計算機(jī)數(shù)據(jù)存儲和軍事等方面。而且隨著技術(shù)的發(fā)展,新的應(yīng)用會不斷出現(xiàn)以替代原有的技術(shù)和產(chǎn)品,紫外LED有著廣闊的市場應(yīng)用前景,如UVLED燈光療儀是未來很受歡迎的醫(yī)療器械,但是目前技術(shù)還處于成長期。

而面對國外UVLED相關(guān)技術(shù)的發(fā)展，國外依然屬于領(lǐng)先地位，如日本憑借其在藍(lán)光LED領(lǐng)域的先發(fā)優(yōu)勢,在UVLED方面的進(jìn)展舉世矚目。尤其是日亞公司,在365nmUV-LED的研究上遙遙領(lǐng)先；美國在深紫外的研究方面領(lǐng)先,但是近年已經(jīng)被日本超越；我國臺灣和韓國起步相對較晚,在該領(lǐng)域也取得了一些進(jìn)展；國內(nèi)在該領(lǐng)域近年來發(fā)展很快。與藍(lán)光不同,目前紫外LED正處于技術(shù)發(fā)展期,在專利和知識產(chǎn)權(quán)方面限制較少,有利于占領(lǐng)、引領(lǐng)未來的技術(shù)制高點。

國內(nèi)在紫外線LED的裝備、材料和器件方面都有了一定的積累,目前正在積極的向應(yīng)用模塊發(fā)展。在UVLED形成大規(guī)模產(chǎn)業(yè)之前,還需要國家的引導(dǎo)和支持,以便在核心技術(shù)方面取得先機(jī)。

未來主要研究目標(biāo)是研究高質(zhì)量的深紫外材料外延生長技術(shù)；高Al組分AlGaN材料生長技術(shù)和摻雜技術(shù)；深紫外LED結(jié)構(gòu)設(shè)計；波長300nm以下LED器件芯片制作工藝和封裝技術(shù)；面向醫(yī)療、殺菌和凈化應(yīng)用領(lǐng)域的紫外光源模塊開發(fā)和應(yīng)用。